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    大面積薄膜太陽能電池量子效率測量系統(tǒng)

    • 產(chǎn)品型號:SolarCellScan 10-Film
    • 產(chǎn)品時間:2024-05-19
    • 簡要描述:卓立漢光研發(fā)生產(chǎn)的大面積薄膜太陽能電池量子效率測量系統(tǒng)為 新產(chǎn)品,作為一款太陽能電池量子效率檢測系統(tǒng),與以往不同的是其采用薄膜太陽能電池,是一款用于大面積太陽能電池光譜響應(yīng)和量子效率測定大的實驗平臺。

    • 產(chǎn)品介紹

            在市場硅原材料持續(xù)緊張的背景下,薄膜太陽電池已成為光伏市場發(fā)展的新趨勢和新熱點。與傳統(tǒng)的單晶、多晶硅電池的制備工藝不同,制備大面積的薄膜太陽能電池成為可能。

    SolarCellScan 10-Film是一款用于大面積太陽能電池光譜響應(yīng)和量子效率測試的實驗平臺。它采用光纖輸出,結(jié)合大行程三維位移臺。可以實現(xiàn)對 大500mm*500mm面積的各種材料太陽能電池的光譜響應(yīng)度、外量子效率、內(nèi)量子效率、反射率、表面均勻度、擴散長度、短路電流密度測量等參數(shù)的自動量測功能。
    主要特點:
    ■ 全光譜太陽光模擬(300~2000nm),測試的光伏材料拓展至近紅外
    ■ 單色光源可選擇氙燈、鎢燈
    ■ 偏置光路適合多結(jié)及多層膜電池測量
    ■ 一鍵式全自動多結(jié)電池測試功能
    ■ 快速Mapping掃描功能,<30min(156mmX156mm,1mm step)
    ■ 一體化設(shè)計操作更方便,系統(tǒng)更穩(wěn)定
    ■ 提供完善的QE/IPCE分析手段
    ■ 提供LBIC高分辨率多波長激光模塊功能選項
     (分辨率<250um,波長405nm、532nm、650nm、808nm、845nm、980nm)
     
    氙燈、鎢燈以及自動氙燈鎢燈復(fù)合光源可選
    根據(jù)IEC推薦標準,對太陽電池進行光譜響應(yīng)測試,紫外區(qū)推薦使用氙燈(<400nm),而對可見與近紅外區(qū)則推薦使用鎢燈光源。系統(tǒng)有150W氙燈、150W溴鎢燈和氙燈鎢燈復(fù)和光源三種模式可選,滿足您的各種測試需求。
     
    多功能的偏置光附件
    系統(tǒng)提供偏置光源附件。偏置光源是太陽能電池量子效率測量時的有用附件,它提供給樣品一個用戶可調(diào)節(jié)的測試環(huán)境。在開放式的偏置光路上,系統(tǒng)預(yù)留了若干光學(xué)元件夾持器,用戶可以根據(jù)測量需要自行加裝衰減片、濾光片等,也可搭配六檔自動濾光片輪安裝不同的濾光片實現(xiàn)多結(jié)太陽電池的自動測量。多結(jié)太陽電池的用戶強烈建議選配偏置光源附件
    在某些情況下,改變偏置光強度可以實現(xiàn)對電池缺陷的分析。例如,如上圖所示為一個低效率CIGS的在不同偏置光下的QE曲線。改變偏置光的強度850nm區(qū)域的QE發(fā)生變化,說明在CdS/CIGS界面有一個導(dǎo)帶偏移(“尖峰”)。這種耗盡層會阻止光生電子的產(chǎn)生,除非是在CdS界面吸收足夠多的藍光光子以降低界面耗盡層的影響。而下圖的實驗偏置光的作用更加明顯,說明在CdS/CIGS界面存在另一個較大的耗盡層,插圖中的IV曲線也說明了這個耗盡層的存在。
    通過對偏置光增加不同的濾光片可實現(xiàn)多結(jié)電池的測試,如下圖所示分別為雙結(jié)與三結(jié)電池的QE曲線。搭配六檔自動濾光片輪,系統(tǒng)可實現(xiàn)對多結(jié)電池的全自動測試。
    在偏置光使用700nm高通濾光片實現(xiàn)對 結(jié)的QE曲線的測試;使用500nm低通濾光片實現(xiàn)對第二結(jié)的測試;使用900nm低通濾光片則實現(xiàn)對第三結(jié)的測試。InGaP/GaAs/GE
    藍光結(jié)測試對偏置光使用800nm高通濾光片,紅光結(jié)則對偏置光使用500nm低通濾光片。
     
    快速Mapping功能
       采用自主研發(fā)的高靈敏度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),可以分別實現(xiàn)AC與DC兩種模式的快速Mapping功能,并可一次掃描同時得到QE(LBIC)、反向率、內(nèi)量子效率、DL(Diffission Length)的Mapping數(shù)據(jù)。針對高分辨率應(yīng)用,更換多波長激光光源和聚焦系統(tǒng)可實現(xiàn)<250um分辨率的Mapping。
    LBIC-125mmX125mm-400nm
    LBIC-125mmX125mm-650nm
    LBIC-125mmX125mm-950nm
     
     
        以上三組Mapping數(shù)據(jù)分別為用400nm、650nm和950nm對同一電池片進行的QE/LBIC(Light Beam Induced Current)掃描。用650nm和950nm掃描結(jié)果顯示電池片的均勻性較好,而400nm的數(shù)據(jù)則在樣品的邊緣部分呈現(xiàn)明顯的不均勻性。這是由于不同波長激發(fā)片在樣品中的穿透深度不同,藍光的穿透深度較淺,較容易反映出材料在制備過程中的問題。而長波長的光由于穿透深度較深,適合于對擴散長度的計算。
    Reflectivity-125mmX125mm-550nm
    上圖為單晶硅電池反射率的mapping數(shù)據(jù),呈現(xiàn)出明顯的不均勻性,反映了電池在酸洗過程中,對酸液清洗不完整,影響了制絨后的反射率的均勻性。
    IQE-160mmX160mm-550nm
    上圖為對6吋單晶硅樣品進行的IQE mapping數(shù)據(jù),可以明顯看到在右上角部分和底部部分區(qū)域效率效低,存在缺陷。
     
    人性化的樣品臺設(shè)計
    積累10年自動平臺設(shè)計生產(chǎn)制造經(jīng)驗,針對大面積薄膜電池設(shè)計兩維各500mm掃描范圍,光斑大小通過聚焦離焦自動可調(diào),*QE測試使用需求,可任意定位單點測量QE曲線,可自定義掃描兼具完成QE Mapping測量,自動平臺掃描控制使用卓立自主研發(fā)高速程序與硬件,結(jié)合高速數(shù)據(jù)采集,可以實現(xiàn)0.5mm間距條件下,每秒可掃描20點的高速掃描,對制程品質(zhì)監(jiān)控提供 快速的分析手段。
     
     
     
     
     
     
    系統(tǒng)規(guī)格:

      
    指標和說明
    光源
    150W氙燈光纖輸出,光學(xué)穩(wěn)定度0.8%,可工作在斬波模式,
    測試光斑尺寸
    3mm~10mm
    單色儀
    三光柵DSP掃描單色儀
    波長范圍
    300nm2000nm
    波長準確度
    a) ±0.3nm1200g/mm,300nm 
    b) ±0.6nm(600g/mm,500nm)
    c) ±0.8nm(300g/mm,1250nm)
    掃描間隔
    小可至0.1nm
    輸出波長帶寬
    <5 nm
    多級光譜濾除裝置
    根據(jù)波長自動切換,消除多級光譜的影響
    光調(diào)制頻率
    4 - 400 Hz
    標準探測器
    標配標準硅探測器,InGaAs探測器,含校正報告
    偏置光源
    150W Xenon Lamp 光纖輸出
    數(shù)據(jù)采集裝置靈敏度
    直流模式:100nA;交流模式:2nV
    測量重復(fù)精度
    對太陽光譜曲線積分重復(fù)性在±1%以內(nèi)
    測量速度
    單次光譜響應(yīng)掃描<1minIPCE完整測試<5min (步長5nm)
    X Y 自動工作臺
    300x300mm 500x500mm
    單波長 QE Mapping
    速度:20 Point/Second @ 0.5 mm Step

     
     
    選型表

    SCS10-X150-F300
    150W Xenon arc lamp for probe source, optical stability ≦0.8%, Adjust mechanism: It can easy remove chopper from probe light
    a)  ± 0.3nm;1200g/mm, blaze 300nm (1st grating)
    b)  ± 0.6nm;600g/mm, blaze 500nm (2nd grating)
    c)  ± 0.8nm;300g/mm, blaze 1250nm (3rd grating)
    6 Position Filter Wheel(200-2000nm)
    DC mode(Data Acquisition System with Pre Amplifier )
    AC mode( Lock-In Amplifier )
    Chopper
    Short current preamplifier
    Calibrated Si Detector
    Calibrated InGaAs Detector
    150W Xenon Bias Light Source with fiber output, White bias light source, optical stability ≦0.8%, with 1 inch Filter Wheel
    XY Stage for QE Uniformity Scanning, 300mm x300mm
    SCS10-X150-F500
    XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm
    SCS10-T150-F300
    150W Tungsten-Halogen Light Source instead of Xenon 150W Light Source. XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm
    SCS10-T150-F500
    150W Tungsten-Halogen Light Source instead of Xenon 150W Light Source. XY Stage for QE Uniformity Scanning, 500mm x500mm

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