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    PL光致發(fā)光光譜儀應(yīng)用
    
		
    更新時(shí)間：2017-06-28瀏覽：4177次
    
		
    
			
    InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測(cè)試
    ● 樣品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍(lán)寶石襯底MOCVD 生長的 InGaNGaN 量子阱
    ● 測(cè)試條件：325nm激發(fā)，功率30mW
    ● 光譜范圍：340-700nm
    
		
    
	
    

	
	
    

    





    
	
    
		
    
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